CVD气相沉积|上海添时技术百科

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CVD气相沉积的优点和技术的基本要求概述

    CVD气相沉积指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。

    CVD气相沉积的优点：

    1、沉积成膜装置简单；

    2、与直接蒸发法相比，可在大大低于其熔点或分解温度的沉积温度下制造耐熔金属和各种碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜；

    3、成膜所需的反应源材料一般比较容易获得，而且制备通一种薄膜可以选用不同的化学反应;有意识的改变和调节反应物的成分，又能方便的控制薄膜的成分和特性，因此灵活性较大；

    4、特别适用于在形状复杂的零件表面和内孔镀膜。

    CVD气相沉积技术的基本要求：

    使用CVD技术沉积目标产物时，其目标产物、原材料及反应类型的选择通常要遵循以下3项原则：

    (1)原材料在较低温度下应具有较高的蒸气压且易于挥发成蒸汽并具有很高的纯度，简而言之原材料挥发成气态的温度不宜过高，一般化学气相沉积温度都在1000℃以下。

    (2)通过反应类型和原材料的选择尽量避免副产物的生成，若有副产物的存在，在反应温度下副产物应易挥发为气态，这样易于排出或分离。

    (3)尽量选择沉积温度低的反应沉积目标产物，因大多数基体材料无法承受CVD的高温。

    (4)反应过程尽量简单易于控制。

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