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PECVD等离子体增强气相沉积技术的特点和三个工艺步骤介绍
   PECVD等离子体增强气相沉积是一种应用广泛的薄膜沉积技术。在等离子体工艺过程中,气态前驱物在等离子体作用下发生离子化,形成激发态的活性基团,这些活性基团通过扩散到达衬底表面,进而发生化学反应,完成薄膜生长。
 
  气相沉积是一种在基体表面形成功能膜层的技术,它是利用物质在气相中产生的物理或(及)化学反应而在产品表面沉积单层或多层的、单质或化合物的膜层,从而使产品表面获得所需的各种优异性能。
 

 

  PECVD等离子体增强气相沉积技术的特点:
  由CVD技术所形成的膜层致密且均匀,膜层与基体的结合牢固,薄膜成分易控,沉积速度快,膜层质量也很稳定,某些特殊膜层还具有优异的光学、热学和电学性能,因而易于实现批量生产。
 
  但是,CVD的沉积温度通常很高,在900℃~2000℃之间,容易引起零件变形和组织上的变化,从而降低机体材料的机械性能并削弱机体材料和镀层间的结合力,使基片的选择、沉积层或所得工件的质量都受到限制。
 
  目前,CVD技术正朝着中、低温和高真空两个方向发展,并与等离子体、激光、超声波等技术相结合,形成了许多新型的CVD技术。
 
  基本原理可分三个工艺步骤:
  (1)镀料的气化:即使镀料蒸发,异华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。
 
  (2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。
 
  (3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。

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