蒸发镀膜仪是一种通过物理气相沉积(PVD)技术在基底表面沉积薄膜的设备,广泛应用于半导体、光学、材料科学等领域。其核心原理是通过加热蒸发源材料(如金属、氧化物等),使其气化后在基底表面冷凝成膜。为确保镀膜质量、设备稳定性及操作安全性,需严格遵循以下使用细节与规范。
一、设备组成与工作原理
蒸发镀膜仪主要由以下部分组成:
1. 真空系统:包括机械泵、分子泵及真空腔体,用于创造高真空环境(通常达10⁻³~10⁻⁵ Pa),避免气体分子干扰镀膜过程。
2. 蒸发源:采用钨丝、钼舟或电子束加热,将镀料(如金、银、铝等)气化。
3. 衬底加热器:可调节基底温度,控制薄膜结晶形态。
4. 控制模块:集成真空度、温度、蒸发电流等参数的实时监控与调节。
5. 冷却系统:保护分子泵并维持腔体温度稳定。
二、操作前准备
1. 清洁腔体:
- 用无水乙醇擦拭真空腔内壁,去除残留油脂或杂质。
- 检查密封橡胶圈是否老化,必要时更换。
2. 安装样品与镀料:
- 基底需超声清洗(如丙酮、乙醇各10分钟),干燥后放入衬底架,确保表面无指纹或污渍。
- 镀料需切割成小块(约1~5 mm),均匀放置于钨舟或钼舟中,避免堆叠。
3. 检查气路与电路:
- 确认机械泵油位正常(通常为油窗1/2~2/3处),分子泵轴承润滑良好。
- 检查电气连接是否牢固,紧急停止按钮功能正常。
三、操作步骤与参数控制
1. 抽真空:
- 关闭腔体阀门,启动机械泵预抽至低真空(<10 Pa),随后开启分子泵。
- 当真空度达到10⁻³ Pa以下时,可开始加热蒸发源。
- 注意:若真空度上升异常,需检查密封性或重启分子泵。
2. 预热与参数设置:
- 设定衬底温度(通常为室温至300℃),预热10~15分钟以稳定热场。
- 调节蒸发电流:从低电流(如10~20 A)逐步增加,避免瞬间过热导致镀料飞溅。
3. 蒸发镀膜:
- 缓慢升高电流至镀料熔化(如铝需约80~100 A),保持恒定蒸发速率。
- 通过石英晶体振荡器或光学监控(如反射率变化)实时观测膜厚,典型沉积速率为0.1~1 nm/s。
- 关键点:蒸发源与基底的距离需根据材料特性调整(通常5~10 cm),过近易造成薄膜应力过大,过远则效率低。
4. 冷却与取样:
- 镀膜完成后,先关闭蒸发电源,待腔体冷却至100℃以下时关闭分子泵。
- 缓慢充入惰性气体(如氩气)至常压,取出样品并转移至干燥器中保存。
四、注意事项与常见问题
1. 防止污染:
- 严禁用手直接接触基底或镀料,需佩戴无尘手套操作。
- 腔体内禁止使用油性工具,避免交叉污染。
2. 参数敏感性:
- 真空度不足会导致薄膜氧化或掺气,需定期更换真空泵油。
- 蒸发电流过高可能使镀料喷溅,形成“颗粒缺陷”;过低则沉积速率慢,易引入杂质。
3. 薄膜均匀性控制:
- 基底需自转或公转以实现均匀沉积,转速通常为10~60 rpm。
- 多源蒸发时需调整源位置与功率,避免厚度梯度差异。
4. 安全风险:
- 高温部件(如钨舟)可能引发烫伤,操作时需使用隔热钳。
- 突然断电时,立即关闭分子泵电源,防止反灌损坏。
五、设备维护与故障处理
1. 日常维护:
- 每次使用后清理腔体,涂抹适量抗氧化剂(如凡士林)保护金属部件。
- 每月检查分子泵运转噪音与振动,必要时更换轴承。
2. 典型故障排除:
- 真空度不达标:检查密封圈、更换扩散泵冷阱内的吸附剂。
- 薄膜剥落:基底温度过低或清洁度不足,需提高预热温度或延长超声清洗时间。
- 厚度不均:调整蒸发源角度或增加基底旋转速度。