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产品名称:非极性GaN晶体基片
产品型号:
更新时间:2024-04-24
产品特点:非极性GaN晶体基片
产品名称:
非极性氮化镓(GaN)晶体基片
技术参数:
晶体定位面:
A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.
传导类型:
N型;半绝缘型
电阻率:
R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm
表面粗糙度:
<0.5nm
位错密度:
<5x106Ω.cm
可用表面积:
>90%
TTV:
≤15um;
产品规格:
常规尺寸:10x5x0.5mm;
厚度公差:+/-0.05mm;
注:可按照客户要求加工尺寸及方向。
标准包装:
1000级超净室100级超净袋
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