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这款小型PECVD,其腔体为 3*dia× 16“L的石英腔体,而且加热圈在石英腔体内部对样品进行加热,此系统配有2通道混气系统和双旋机械泵。整套仪器都按放在一个移动架上,以便于实验操作。等离子腔体内部的最高温度可以达到400℃,采用程序化控温。此款小型廉价的PECVD系统对于薄膜生长和纳米线的制作是一款很好的选择。《查看更多》
OTF-1200X-III-R5-PECVD是一款1200℃等离子增强化学气相沉积三温区回转管式炉系统(R-PECVD),等离子增强系统的引入可在相对较低的温度下实现粉末表面的包覆复合、核壳结构制备等工艺过程。自动进出料系统可实现连续生产,可保证在气氛保护环境下进行粉体的进给和收集,包含射频电源(带自动匹配功能)、四通道质子流量计控制系统及真空泵系统,可由PLC触摸屏或PC电脑控制,使用方便快捷。《查看更多》
OTF-1500X-III-4CV-PE-SL是一款三温区1500℃的PECVD管式炉系统,该设备由射频电源、1500℃三温区管式炉、多通道质子混气系统和真空系统组成。此款PECVD系统可广泛应用于生长纳米线、石墨烯及薄膜材料领域。《查看更多》
OTF-1200X-S-II-R-4CV-PE是一款1200℃PECVD等离子体增强气相沉积由射频电源、双温区管式炉、4通道质子流量计控制系统、性能优异的真空泵及水冷机组成。此套完整的设备系统特别适合用于无机复合粉末的热处理以及粉未表面的改性处理工艺中(如:粉体掺杂(空穴、间隙原子)、表面改性、表面包覆及制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等)。《查看更多》
OTF-1200X-50-1I-4CV-PE-MSL是一款双温区的PECVD管式炉系统,组成部分为500W的射频发生器、滑动速度可控的双温区滑轨炉,预热炉(作用为使固体原料蒸发)和德国进口的无油泵。此款PECVD对于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜是一款新的探索工具。《查看更多》
OTF-1200X-PESDFG-50是一款双炉体滑动的PECVD系统,连接循环手套箱。此款设备中石英炉管与循环手套箱连接,可利用CVD方法,将样品处理后直接移入到气氛保护环境下的手套箱中。炉体采用滑动式,可在实验室中对样品进行快速加热和快速冷却。此款仪器特别适合新一代纳米材料和二维晶体材料的探索研究。《查看更多》
OTF-1200X-1I-4CV-PE-SL是一款滑动式双温区PECVD 管式炉系统。该系统包含等离子射频电源,80mm 0D1800mm L的滑动式双温区管式炉,4通道质量流量供气系统和机械泵机组,可用于生长纳米或石墨烯材料。《查看更多》
OTF-1200X-50-PE-SL是一款小型滑动开启式PECVD系统。此套设备配有等离子射频电源,直径为50mm的开启式管式炉(带有真空法兰和连接管道)及机械泵组成。该设备模型可更新为不同类型的PECVD 系统,且设备性价比较为理想《查看更多》
OTF-1200X-50S-PE是一款小型等离子体气相沉积管式炉系统(PECVD)。该设备配有等离子射频电源,开启式管式炉(带有真空法兰和连接管道)及一个直联式双旋机械泵。此套设备模型可组合为不同类型的PECVD系统,且设备性价较为理想。《查看更多》
为使化学反应能在较低的温度下进行,常利用等离子体的活性来促进反应,这种方法称为等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)。加热炉设备的内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层,可提高设备的加热效率,同时也可延长设备的使用寿命。《查看更多》
OTF-1200X-80-I-4CV-CMPE-SL是传统PECVD与开发的智能通讯模块组合,可对传统PECVD实现自动化升级可自由搭配各种系统控制组合自定义CVD系统。是一款滑动式双温区PECVD 管式炉系统。该系统包含等离子射频电源,100mm OD1800mm L的滑动式双温区管式炉,4通道质量流量供气系统和机械泵机组,可用于生长纳米或石墨烯材料。《查看更多》
PECVD-8-16是一款平行板电容式PECVD系统,适用于中小式生产和实验,可放置12片6英寸基片。此系统组成:8英寸石英管管式炉,最高温度为1100℃,一个批量型石墨舟(可放12片基片),1000W射频电源,和一个4通道混气系统。此设备特别适用于太阳能电池和二维材料,扩产前测试实验。《查看更多》
为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率,同时也可以延长仪器的使用寿命。《查看更多》
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