多靶磁控溅射镀膜系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜等新型薄膜材料的制备。本设备主要用于金属薄膜的沉积，可提供的靶材有铜、镍、钴、铁、钽、铬、钛、铝、钨等金属的沉积。

主要功能

设备主打多功能薄膜材料制备，适配多种金属薄膜、氧化物薄膜、复合功能薄膜及半导体薄膜的沉积制备工作。依托磁控溅射沉积工艺，可完成高精度薄膜生长、多层膜堆叠制备、薄膜改性优化等实验作业，能够满足新材料研发、半导体器件制备、功能性涂层开发等不同科研场景，适配高校实验室、科研院所及企业研发部门的多样化薄膜制备需求。

技术指标

溅射靶位：设备配置 3 组标准化 4 英寸专用溅射靶枪，布局科学合理，支持单靶独立溅射、多靶共溅射、交替溅射等多种工作模式，可搭配各类金属靶材、合金靶材、陶瓷氧化物靶材，灵活实现单层薄膜与多元复合薄膜的制备，工艺选择丰富。

样品承载平台：搭载高性能可旋转式样品承载台，兼容多规格实验衬底；单次实验可放置最大 8 英寸整片衬底基片，亦可同时装载 4 片 4 英寸衬底基片。样品台自带匀速旋转调控功能，能够有效优化腔内气流分布与薄膜沉积均匀性，规避薄膜厚薄偏差问题，大幅提升成品薄膜整体平整度与一致性。

加热系统：内置一体化恒温加热模块，样品最高加热温度可达 500℃，支持梯度升温、恒温保温、自然降温等多种温控模式。设备可按需配套专属功能拓展模块，适配高温退火、原位加热沉积等特殊工艺，满足热敏材料、高温制备型薄膜的实验生产需求。

工艺供气系统：配备 3 路独立可控工艺气体通道，支持氩气、氮气、氢气等常见高纯工艺气体，可根据实验需求自由切换、配比混合气体；气体流量精准可控，适配惰性气氛、还原气氛、氧化气氛等不同沉积工况。

真空性能：腔体采用高密封性一体化结构，搭配高精密真空机组，设备极限真空性能优于 5×10⁻⁵Pa；可快速完成腔体抽真空作业，有效隔绝空气杂质、水汽对薄膜沉积的影响，保障薄膜沉积纯度，适配高精密、低杂质要求的薄膜制备实验。