冷壁 CVD 为薄膜与新材料生长核心工艺装备，支持单片 4 英寸、6 英寸、8 英寸标准晶圆一体化加工、采用仅衬底加热、腔壁水冷控温至近室温的独特结构，具备沉积区域集中于样品、颗粒污染低、升降温速率快等优势，广泛应用于集成电路、二维半导体、光伏、光电探测器等关键领域。

多靶磁控溅射镀膜系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜等新型薄膜材料的制备。本设备主要用于金属薄膜的沉积，可提供的靶材有铜、镍、钴、铁、钽、铬、钛、铝、钨等金属的沉积。

平台搭载半导体级气路与流量控制系统，设 8 路供气通道，可满足薄膜沉积、材料烧结、气相合成、气氛退火等实验工况。 配备 2/4 英寸管式炉及等离子源系统，我们可提供一站式材料定制研发代工，整合实验至中试全流程设备，检测分析一体化服务，保障科研项目顺利开展。

多靶磁控溅射镀膜系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜等新型薄膜材料的制备。本设备主要用于金属薄膜的沉积，可提供的靶材有铜、铝等金属的沉积。

最高支持1150°C的高温工艺;多区独立加热，实现出色的温度均匀性;动态气体流量控制，保证生长速率与掺杂的均匀性;自动化控制。可应用与二维半导体制备、半导体材料、晶圆的退火，金属薄膜热处理，兼顾中小批量生产与研发需求。

本设备为高性能半导体参数分析系统，可将测试配置至运行检定的整体耗时降低50%，设备集成多模式测量功能，支持自动化参数提取、兼具超高测量分辨率与便捷化操作模式，综合性能强劲，是现阶段高校科研、企业研发领域主流的半导体电学特性分析设备，可有效加速工艺研发，完成制程管控、可靠性检测与故障溯源分析。