多靶磁控溅射镀膜系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜等新型薄膜材料的制备。本设备主要用于金属薄膜的沉积，可提供的靶材有铜、铝等金属的沉积。

主要功能

该设备以真空热蒸发工艺为核心，专注各类薄膜材料制备，可实现金属材料、有机材料、无机介质材料、半导体薄膜及多层复合薄膜的真空蒸镀制备。广泛适用于光电薄膜、微电子器件、低维功能材料、新能源材料等科研方向，支持单层薄膜、多层叠加薄膜、合金薄膜的沉积研发，能够满足科研试样研发、工艺调试、定制化样品制备等多元化实验需求。

技术指标

蒸发源：设备标配3组独立热蒸发源，各司其职且可单独控制，支持单源独立蒸镀、多源同步共蒸、分层交替蒸镀等多种工艺模式。可适配不同类型蒸镀物料，兼容金属、有机物、无机介质等多种材料，灵活满足不同体系薄膜的制备实验。

样品台：搭载多功能集成式样品承载平台，最大可承载6英寸规格衬底基片，适配市面主流实验衬底。样品台集成旋转与加热双重功能，运行过程中可匀速旋转，平衡腔内蒸汽浓度，提升薄膜整体均匀性；配合加热功能可有效增强薄膜附着力与致密性，大幅提升成膜品质。

最高加热温度：样品台最高加热温度可达500℃，可完成恒温沉积、升温退火、原位加热制备等相关工艺，同时可根据用户实验需求，配套对应的专属功能模块，适配不同温度条件下的薄膜蒸镀作业。

工艺气体：预留3路独立工艺气体接口，支持按需选配加装，可接入氩气、氮气、氢气等高纯工艺气体，满足气氛蒸镀、气体辅助沉积、惰性气氛保护等特殊实验工况。该功能属于选配项目，如需启用供气功能，可另行加装配置。

极限真空：设备腔体采用高密封结构设计，搭配高性能真空机组，整机极限真空优于5×10⁻⁵Pa。高真空腔体环境可大程度减少腔内水汽、氧气及杂质气体对蒸镀过程的影响，规避薄膜氧化、杂质污染等问题，保障蒸镀薄膜纯度与稳定性，适配薄膜制备实验。