冷壁 CVD 为薄膜与新材料生长核心工艺装备，支持单片 4 英寸、6 英寸、8 英寸标准晶圆一体化加工、采用仅衬底加热、腔壁水冷控温至近室温的独特结构，具备沉积区域集中于样品、颗粒污染低、升降温速率快等优势，广泛应用于集成电路、二维半导体、光伏、光电探测器等关键领域。

冷壁 CVD 是实现薄膜、低维半导体材料外延生长的核心工艺装备，区别于传统热壁 CVD 整腔高温加热方案，设备采用衬底独立精准加热、腔体循环水冷控温至近室温的差异化结构设计。该设计可让反应沉积过程仅集中发生在衬底表面，大幅减少腔壁高温分解产生的颗粒杂质，有效降低薄膜缺陷与污染；同时衬底独立控温模式升降温响应速度快，工艺切换周期短，便于精准调控材料成核、生长、掺杂全过程，在先进集成电路、二维半导体、光伏电池、光电探测器、宽禁带器件等前沿领域均为关键制备设备。

针对当前二维材料、先进集成电路产业化与科研试验的设备缺口，我司联合行业合作单位深度工艺开发，推出适配大尺寸晶圆加工的专用垂直冷壁 CVD 成套系统，兼顾实验室基础研发、工艺中试迭代与小批量试样量产多重使用需求，同时支持整机模块化定制开发，匹配特殊材料生长工艺。

样品外延沉积标准作业流程

步骤 1：基片预处理

✅ 工序内容：

将待外延沉积的衬底基片进行预处理然后放置样品托盘上，做好材料生长前的准备。

步骤 2：送样

✅ 工序内容：

启动设备，设备进样室和反应室都于高真空状态，进样室通入惰性气体至常压，开仓门将样品/样品托盘放置于进样室的机械手上。

步骤3：材料生长

✅ 工序内容：

启动材料生长的自动化程序，调用材料生长工艺。进样室中的机械手会将样品/样品托盘传入反应室按照工艺进行材料的生长。

步骤 4：取样

✅ 工序内容：

✅  生长结束后，待样品温度降至200℃以下，从生长室传入进样室。待样品温度降至室温，进样室通入惰性保护气体，至常压，开启仓门取出样品。

分子泵组获取高的本底真空；

腔体冷壁控温 + 基座加热升温，设置外延生长温度；

按配比通入前驱体反应气体（源气、载气、掺杂气体）；

气体在高温基底表面发生气相化学反应，固态薄膜均匀沉积在方形基片表面（冷壁结构特点：腔体外壁低温水冷、仅衬底基座高温，避免氛围中的反应物沉积带来样品的污染）；

有实体设备可以预约上门做样，实测

设备核心参数与优势

腔体结构：垂直式冷壁结构，腔体水冷维持近室温工况，双腔室独立分区布局，可实现生长腔与传输腔隔离，减少外界杂质引入，提升薄膜一致性；

工作温度区间：500℃~1100℃，衬底单点精准控温，温场均匀性优异，适配半导体外延膜等多种材料生长；

适配晶圆规格：支持单片 4 英寸、6 英寸、8 英寸标准晶圆一体化加工，兼容各类方形、异形衬底试样；

全自动化系统：搭载全自动晶圆真空传片机构，搭配多路高精度气体质量流量控制系统，可自动完成多组分工艺气体配比、切换；集成原位实时检测模块，实时监测腔内压力、温度、气体浓度等关键工艺参数，全程工艺数据自动存储记录；

真空体系：搭载高真空机组，可提供洁净低本底真空环境，大程度抑制杂质干扰，保障高纯薄膜制备；

适用场景：覆盖高校院所前沿科研、企业新工艺中试放大、实验室小批量样品试制；

定制化服务：可根据目标材料、工艺路线、产能需求，对腔体尺寸、气路通路、加热模块、自动化功能、检测组件进行个性化选配与整机定制。