冷壁CVD系统，最高支持1200°C的高温工艺;具有出色的温度均匀性;动态气体流量控制，保证生长速率与掺杂的均匀性;自动化控制 。
可应用与二维半导体制备、半导体材料、晶圆材料的退火与生长，金属薄膜热处理，兼顾中小批量生产与研发需求。

主要功能

本设备为高性能冷壁CVD系统，采用专属冷壁加热结构设计，区别于传统热壁设备，腔体侧壁保持低温状态，可有效抑制腔壁副反应沉积，减少腔体污染，大幅降低设备维护成本。设备搭载高精度恒温加热模块与动态智能气路控制系统，温控精度高、气体配比灵活，整体自动化操作简单。设备可一站式完成二维半导体材料制备、各类半导体薄膜生长、晶圆退火与薄膜制备、金属薄膜气氛热处理、功能材料改性等工艺，广泛应用于低维材料、光电半导体、微电子行业的科研研发工作，既能满足高校及科研院所的精细化实验调试，同时适配企业研发端中小批量样品制备生产，适配多场景研发生产需求。

技术指标

1、衬底承载规格：设备配置9英寸封闭式真空腔室，内部作业空间布局合理，无多余死角，最大可承载8英寸整片晶圆衬底进行一体化加工处理。同时兼容各类小尺寸定制衬底、片状试样、粉末材料等多种形态实验样品，覆盖目前新材料与半导体行业主流实验规格。

2、工艺温度系统：采用独立式样品局域加热方案，针对性加热样品衬底，腔体壁面常温运行，规避腔壁积碳、杂质附着等问题。设备整体最高工艺温度可达1200℃，温控算法采用闭环PID精准调控，全域温度均匀性优异，有效解决样品局部温差过大、薄膜生长厚薄不均、退火效果不一致等问题，适配各类高温薄膜生长、气氛退火及热处理工艺。

3、精密供气系统：标配7路独立可控高精度气路通道，包含氩气、氢气、氮气、甲烷、乙炔五类常规高纯工艺气体，并设置2路备用拓展气路，用户可根据实验需求自由选配接入其他特种工艺气体。配套动态流量控制组件，可独立精准调控单路气体流量与混合配比，实时平衡腔体内气体浓度，保障材料生长速率、元素掺杂比例高度统一，适配多元化气相沉积实验工况。

4、真空控制系统：腔室采用高密封一体化锻造结构，搭配多级复合真空机组，真空调节范围宽泛。设备极限本底气压可达5×10⁻⁵Pa，常规稳定工作气压调控区间为1Pa-1000Pa，可自由切换高真空、低真空作业模式，大程度隔绝氧气、水汽与悬浮杂质，从源头保障薄膜生长纯度与热处理成品质量。

5、智能控制系统：整机搭载集成式自动化控制系统，内置完整工艺操作系统，支持自定义编辑、存储、调用多套专属工艺配方。涵盖自动抽真空、阶梯式升温、智能气体换气配比、恒温生长、自动降温泄压、故障实时报警、紧急一键停机等全套功能，大程度减少人为操作误差，简化实验操作流程，显著提升实验研发及批量制备的整体效率。