最高支持1150°C的高温工艺;多区独立加热，实现出色的温度均匀性;动态气体流量控制，保证生长速率与掺杂的均匀性;自动化控制。可应用与二维半导体制备、半导体材料、晶圆的退火，金属薄膜热处理，兼顾中小批量生产与研发需求。

主要功能

本设备为一体式热壁CVD系统，专为高精度薄膜生长与高温热处理工艺研发，搭载多区独立温控系统与智能化气路调控模块，整体自动化程度高、工艺稳定性优异。设备兼容高精度材料研发与中小批量样品制备，可全面满足二维半导体材料制备、各类半导体薄膜生长、晶圆高温退火、金属薄膜气氛热处理、功能材料改性等多元化工艺场景，广泛适配低维材料、微电子半导体、光电新材料等领域科研研发与项目落地需求，兼顾高校科研实验、工艺调试以及商业化中小批量试样生产。

技术指标

1、衬底承载规格：设备腔室内径尺寸达11英寸，内部作业空间充足，最大可支持8英寸整片晶圆衬底进行加工处理，同时兼容小尺寸衬底、片状样品、粉体材料等不同形态试样，适配绝大多数主流半导体与新材料实验规格。

2、工艺温度系统：配备多区独立闭环加热模组，支持分区精准控温，有效优化腔室内温场分布，从根本上提升样品加热均匀性；设备常规最高恒温工艺温度可达1100℃，瞬时峰值工艺温度支持1150℃，8英寸整片晶圆范围内温度偏差控制＜2%，杜绝局部温差过大导致的材料生长不均、退火失效等问题，适配各类高温制备及热处理工艺。

3、精密供气系统：标配7路独立可控高精度气路通道，涵盖氩气、氢气、氮气、甲烷、乙炔、氧气六路常用高纯工艺气体，并预留1路备用气路，可自由拓展适配特殊实验气体。系统搭载动态流量控制单元，能够实时精准调节各路气体配比与进气速率，稳定腔内气体氛围，保障材料生长速率、元素掺杂的一致性，适配常压、低压等多气氛生长工况。

4、真空控制系统：搭载高密封性真空腔室与多级真空机组，分级可控调节腔内气压参数。设备本底气压低至0.1Pa，稳定工作气压调节区间为1Pa~5×10⁻⁵Pa，可轻松实现高真空、低真空、常压等多种作业环境，有效隔绝空气杂质、水汽干扰，保障高温工艺下材料成膜质量与制备稳定性。

5、智能控制系统：整机采用一体化全自动控制系统，集成工艺程序编辑、参数一键设定、自动升温、自动换气、真空自动抽取、异常报警及紧急停机功能。科研人员可自主编辑储存多组工艺配方，一键调用即可完成整套实验流程，降低人工操作误差，简化实验流程，大幅提升研发与生产效率。