本设备为高性能半导体参数分析系统，可将测试配置至运行检定的整体耗时降低50%，设备集成多模式测量功能，支持自动化参数提取、兼具超高测量分辨率与便捷化操作模式，综合性能强劲，是现阶段高校科研、企业研发领域主流的半导体电学特性分析设备，可有效加速工艺研发，完成制程管控、可靠性检测与故障溯源分析。

仪器介绍

本设备为紧凑型高性能半导体参数分析系统，优化整机运行逻辑与测试架构，可将测试配置、程序运行及性能检定整体作业耗时降低50%，大幅度简化测试流程、提升数据分析效率。设备集成多模式一体化测量硬件，搭载专属Clarius专业级测试软件，内置数百套行业通用标准化测试程序库，可实现测试流程自动化配置、电学参数智能提取、数据成像可视化与系统化数据分析。整机兼具超高测量分辨率与简易化操作逻辑，兼顾高精度科研测试与大批量样品快速检测，是目前高校科研院所、高新技术企业研发端主流的半导体电学特性分析设备，能够有效加速新材料与半导体器件工艺迭代，协助研发人员完成样品制程管控、器件可靠性验证及失效故障溯源分析。

主要功能

系统集成直流I‑V、电容C‑V、高速脉冲I‑V三大核心测量模式，可高精度检测各类半导体器件、功能薄膜材料的关键电学性能参数。依托内置标准化测试程序与智能算法，设备可自主完成数据采集、降噪处理、特征参数提取、特性曲线自动绘制与数据归档，覆盖材料基础电学测试、器件性能标定、工艺参数调试、样品失效分析、老化可靠性测评等多元化测试业务，适配从基础材料研究到微纳器件开发的全层级科研测试需求。

适用工艺

设备应用场景覆盖半导体微电子、光电元器件、新能源材料、电子信息等多个前沿领域，适配科研研发、工艺质检、教学实训等多种工况。可用于各类二极管、三极管、晶体管等半导体器件全域电学特性测试；完成功能薄膜、二维材料、导电复合材料的电性能表征；支持MOS类元器件阈值电压、漏电流、击穿电压等专项参数检测；实现样品电容‑电压特性、载流子浓度、界面态参数分析，同时可开展器件长期老化可靠性验证、工艺一致性筛查及新材料对比实验，亦可支撑高校微电子、材料科学相关专业的教学实操训练。

技术指标

1、直流I-V测试性能：直流测试模式下电流测试范围为10aA~1A，电压测试范围0.2μV~210V，动态量程覆盖微弱漏电信号至大功率器件电学信号，可满足绝缘薄膜、低维纳米材料、功率半导体器件等不同样品的静态电学表征。

2、电容C-V测试性能：电容测试频率区间为1kHz~10MHz，支持±30V连续可调直流偏置电压，能够精准测试样品电容变化、阻抗特性、载流子分布，适用于MOS结构、介质薄膜、电容元器件的界面特性与储能性能分析。

3、脉冲I-V测试性能：高速脉冲模式输出电压范围±40V（峰峰值80V），输出电流范围±800mA；设备采样率可达200MSa/s，采样精度高达5ns，可捕捉器件瞬态响应特性，有效规避直流测试产生的热效应影响，适配易发热敏感型器件与超快动态电学性能测试。

4、电流分辨率：整机低电流分辨率可达0.1fA，具备超高微弱信号采集能力，可精准捕捉微量漏电流、暗电流及微观载流子迁移信号，满足纳米级器件、超薄介质薄膜等高精密测试要求。

5、硬件通道配置：硬件支持模块化拓展，最高可配置4路独立SMU信号源测量单元，多通道可同步采集、独立控制，支持多参数同步测试与多样品并行检测，大幅提升批量实验测试效率。

6、测量工作模式：标配直流I‑V、电容C‑V、高速脉冲I‑V三种主流测量模式，三种模式自由切换、参数互通联动，一站式兼顾静态直流特性、电容特性与动态瞬态脉冲特性，全面覆盖半导体材料与器件全套电学测试工况。